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国产刻蚀机猛后退:抵达3nm,拿下国内60%份额,逼退美企

来源:Scott Marcus网   作者:时尚   时间:2024-11-18 10:57:00

原问题 :国产刻蚀机猛后退:抵达3nm,国产国内拿下国内60%份额,刻蚀逼退美企

家喻户晓 ,机猛在当初的后退芯片制作工艺中 ,光刻机、抵达刻蚀机是拿下必不可少的两个紧张工具。

假如从所有的份额半导体配置装备部署的成原本看  ,光刻配置装备部署占其中的逼退20%  ,而蚀刻配置装备部署占其中的美企23% ,两者占其中的国产国内43%的比例 ,足以证实光刻--蚀刻有多紧张了。刻蚀

光刻与蚀刻也是机猛成套运用的,光刻工艺后 ,后退便是抵达蚀刻工艺,缺一不可 ,拿下不可替换。

而光刻机方面 ,国内的技术很落伍 ,这个巨匠都清晰的 。但刻蚀机方面  ,国内的技术可不差 ,美全是国内先历水平。

之以是这么强,这是由于一家公司 ,那便是中微半导体,由尹志尧博士于2004年建树 。

在建树中微半导体以前 ,尹志尧博士曾经在英特尔、泛林、运用质料等企业均使命过 ,积攒了大批的履历、技术以及人脉 。

凭证媒体的说法  ,尹志尧总体在半导体行业具备86项美国专利以及200多项列国专利,被誉为“硅谷最有造诣的华人之一” 。

其后他看到中国半导体技术相对于落伍,于是在2004年的时候,他带着钱 ,带着一批精英强人归国(据称第一批是15个) ,停办了中微,誓要冲破外洋的操作 。

在2007年的时候 ,中微研收回了第一代介质刻蚀机,而且全天下初次接管可单台自力操作的双反映台 ,功能致使比外洋同类产物还要高30% 。

而后中微不断的自动  ,中微的刻蚀机技术不断的后退,抵达了全天下开始进的水平 ,当初已经被用于某晶圆厂的3nm芯片破费线中。

而克日,中微更是展现 ,中微在中国电容耦合等离子体(CCP)刻蚀配置装备部署市场的市场份额估量将从去年10月的24%增至60% 。在电感耦合等离子体(ICP)工具市场 ,其份额可能会从简直为零回升到75% 。

合计来看 ,中微往年在国内的刻蚀市场份额 ,可能提升至60% ,而以前占有主导位置的美国泛林半导体、运用质料等 ,全副被中微打的节节溃退了。

接下来,愿望此外国产半导体配置装备部署,特意是光刻机 ,也可能像中微的刻蚀机同样  ,抵达全天下先历水平 ,实现5nm、3nm ,那末中国芯片财富,就再也不怕美国洽谈了。返回搜狐,魔难更多

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